接口协议：UFS2.0，HS-G2 2-Lane（5.8Gbps）
KLUCG4J1BB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUDG8J1BB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153
接口协议：UFS2.0，HS-G3 1-Lane（5.8Gbps）
KLUAG2G1CE-B0B1 MLC UFS2.0 16GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUBG4G1CE-B0B1 MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUCG4J1CB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUDG8J1CB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153
接口协议：UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）
KLUCG4J1EB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUDG8J1EB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153
KLUEG8U1EM-B0B1 TLC UFS2.0 256GB 11.5x13x1.2 FBGA153
接口协议：UFS2.1，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）
KLUCG4J1ED-B0C1 MLC UFS2.1 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUDG8V1EE-B0C1 TLC UFS2.1 128GB 11.5x13x1.0 FBGA153
KLUEG8U1EM-B0C1 TLC UFS2.1 256GB 11.5x13x1.0 FBGA153
————————————————————————————
命名规则举例：KLUDG8V1EE-B0C1（UFS2.1，TLC）
字符1： K: "Samsung Memory" 三星内存（运存/闪存）
字符2： L: "MOVI NAND, MCP" 闪存或MCP产品
字符3： U: 闪存接口类型为"UFS"
字符4-5 DG: Memory density is 128GB (AG for 16GB, BG for 32GB,CG for 64GB, EG for 256GB)
字符6： 8: Composition is NAND8 + Microcontroller 封装中含有8个NAND芯片及微控制器
字符7： V: NAND Small Clasification (Type or Density) is TLC 闪存架构为TLC
字符8： 1: Supply voltage, mode 电压，模式
字符9： E: Controller version 控制器版本（与HS-Gx x-Lane有关）
字符10：E: Flash type E-die 闪存颗粒类型 E-die（M、A、B、C、D、E、F、G）
字符11： -: 连字符
字符12： B: Package type is FBGA lead-free, halogen-free 无铅无卤素FBGA封装
字符13： 0: Revision None 未修改原始版本
字符14： C: Speed 高速 （与接口协议版本有关）
字符15： 1: Normal sample 正常样品
其中，第7个字符与闪存架构有关：
1）SLC（Single-Level Cell）为1或9；
2）TLC（Triple-Level Cell）为V、U或Z；
3）MLC（Multi-Level Cell）为A、B、C、D、E、G、J、K等。
————————————————————————————
http://www.samsung.com/us/samsungsemiconductor/pdfs/PSG2017_1H_HR_singles.pdf
Samsung Semiconductor Global Website
[Discussion] Mate 9/Mate9 Pro Flash Part Numbers (most of them are UFS2.0)
————————————————————————————
水平有限，时间仓促，错漏请予以指正。
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。E-MAIL:704559159@qq.com
